诺贝尔物理学奖）
2.约翰·巴丁（JohnBardeen，美国）——贝尔实验室，刚参与发明晶体管。（作者注：两次诺贝尔物理学奖，1956年晶体管，1972年超导BCS理论）
3.默里·盖尔曼（MurrayGell-Mann，美国）——21岁，在MIT读研究生。（作者注：后提出夸克模型，1969年诺贝尔物理学奖）
4.弗里曼·戴森（FreemanDyson，英国裔）——在普林斯顿高等研究院，27岁（作者注：量子电动力学统一者，戴森球概念提出者）
5.约翰·惠勒（JohnWheeler，美国）——在普林斯顿大学，39岁。（作者注：核物理和广义相对论大师，"黑洞"一词的命名者）
6.汉斯·贝特（HansBethe，德裔美国人）——在康奈尔大学，44岁。（作者注：恒星核合成理论创始人，1967年诺贝尔物理学奖）
7.尼古拉斯·布隆伯根（NicolaasBloembergen，荷兰裔）——在哈佛，30岁博士生/博士后。（作者注：激光光谱学先驱，1981年诺贝尔物理学奖）
8.查尔斯·汤斯（CharlesTownes，美国）——在哥伦比亚大学，35岁。（作者注：后发明微波激射器（MASER），1964年诺贝尔物理学奖）
二、化学与材料
1.莱纳斯·鲍林（LinusPauling，美国）——在加州理工，49岁。（作者注：化学键理论大师，1954年诺贝尔化学奖+1962年诺贝尔和平奖，唯一两个不同领域的诺贝尔奖）
2.罗伯特·伍德沃德（RobertWoodward，美国）——在哈佛大学，33岁（作者注：有机合成之神，1965年诺贝尔化学奖）
3.格伦·西博格（GlennSeaborg，美国）——在伯克利，38岁。（作者注：超铀元素发现者，1951年诺贝尔化学奖，获奖时方天朔已知道他会得奖）
4.威廉·肖克利（WilliamShockley，美国）——在贝尔实验室，40岁。（作者注：晶体管发明者之一，1956年诺贝尔物理学奖，半导体产业之父）
三、数学与计算机
1.约翰·冯·诺伊曼（JohnvonNeuma
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