短，芯片的精度才会越高。
而率先研发出高精度芯片的企业，注定会领跑整个行业，将其他企业牢牢地摔在身后。
而针对这项技术，市面上出现了两种方法。
那就是157nm光源干刻法与193nm光源湿刻法。
尼康等公司主张在前代的技术基础上，采用157NM的F2激光，走稳健道路。
而新生的EUV LLC联盟，则押注于更激进的极紫外技术，用仅有十几纳米的极紫外光，刻十纳米以下的芯片制程。
但不管是这两种技术中的哪一种，技术要求都极其不易。
然而在这个时候，台积电一个叫做林本间的鬼才工程师出现了。
降低光的波长，光源出发是根本方法，高中学生都知道，水会影响光的折射率。
在透镜和硅片之间加一层水，原有的193nm激光经过折射，不就直接越过了157nm的天堑，降低到132nm了！
林本间拿着这项沉浸式光刻方案，兴奋的跑去了米国、德国以及岛国，游说各家半导体巨头。
然而他的方案最终并没有得到认可，甚至还有不少人觉得这家伙就是来搞事的，甚至不止一次警告台积电。
毕竟这只是理想情况，在精密的机器中加水构建浸润环境，既要考虑实际性能，又要操心污染。如果为了这一条短期替代方案，耽误了光源研究，吃力不讨好只是其次，被对手反超可就不好看了。
所以，作为大厂的尼康，选择了在157nm上一条道走到黑，进行光刻机的技术突破。
而在这个时候，也正是阿斯麦公司登场的时候。
一个位于丹麦，只有几十人团队的小角色。
谁都没有想到，阿斯麦竟然和林本间一拍即合，二者赌了一波大的，竟然真的在几年后研发出了第一台样机。
也正是因为先人一步，他们成功拿下了IBM和台积电等大客户的订单，一跃成为了光刻机大厂。
然而，尼康虽然靠着技术突破，也研发出了干式微影157nm技术的成品，但毕竟被阿斯麦抢了风头，更何况波长还略落后于对手，等到一年后又完成了对浸润式技术的追赶，客户却已经不承认“老情人”，毕竟光刻机又不是小朋友玩具，更替要钱，学习更要成本。
至此，尼康在光刻机舞台上，正式黯然离场。