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第两百三十六章 给了一个大大的惊喜![1 / 5]

钱学明深吸了一口气,上前一步,站在了生产线的起点位置,面对张停和几位司长专家,有条不紊的开口。

“各位领导,我们曙光厂的这条芯片生产线,是一条三微米制程的CMOS工艺线。”

“在最初的设计方案论证阶段,我们面临一个关键性的选择,是走当时国内普遍主流的NMOS工艺路线,还是另辟蹊径走CMOS路线。”

钱学明侧身指向身后第一台设备,一五一十的介绍着。

“各位领导想必都知道,NMOS工艺的优点是速度相对快,工艺成熟度高,国内几家院所都有经验基础,可以说是最简单最普遍的选择。”

“但它的功耗太高,集成度提升后发热问题几乎无解。”

“而CMOS工艺虽然功耗只有NMOS的十分之一不到,但业界公认它的速度慢,工艺控制难度大,存在闩锁效应等可靠性问题。”

“我们权衡了很久,最后林厂长和我还是共同决定走CMOS路线,因为功耗才是未来大规模集成的最大瓶颈,速度可以通过电路设计和工艺优化来补偿。”

张停听得专注,点了点头没有插话。

两位专家也同样点点头。

钱学明说的没错,CMOS工艺确实是有可取之处。

当然,也有其缺点。

他们这一次过来就是想知道曙光厂是怎么克服这个缺点的。

钱学明继续往前走,来到光刻机旁边:

“各位领导,这是我们从荷兰进口的步进式光刻机,配合我们自己研发的掩模版定位系统,可以实现三微米的最小线宽。”

“在曝光精度方面,对准误差控制在一微米以内,加上我们自研的自动对准算法,实际套刻精度可以做到正负零点五微米。”

说完,一行人继续沿生产线前行:“这里是我们自行改造的等离子体刻蚀机,原机进口的时候主要用于普通硅刻蚀。”

“我们重新设计了射频匹配网络和气体分配系统,把均匀性从百分之十二提高到了百分之四以内。”

“同时把刻蚀速率从每分钟六十纳米提升到了一百一十纳米,而且侧壁垂直度控制在了八十七度以上,减少了后续工序的补偿难度。”

听着这一系列关键名词,张停没有太多的感知,毕竟他不是专精这一方面的专家。

但后面的两位专家肉眼可见的兴奋起来。

眼神里是满满的火热。

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