过用金刚石砂轮切割硅片，效果不太理想，还在摸索更好的方法。”
“对了，你提到的控制策略，我很感兴趣。可惜你说论文还没发表，不便多说。”
“我理解学术界的规矩，只是有点迫不及待想看看你们那边的新思路。如果你方便的话，能不能稍微透露一点大概的方向？比如是线性控制还是非线性控制？是基于模型还是无模型？我只是好奇。”
“期待你的回信，期待你更多的分享。”
“你真诚的，理查德。”
光纤陀螺仪中的敏感元件材料这个方向，她就是随便写的，虽然也没骗人。
但用硅基材料做敏感元件根本不是目前工艺能做到的，理查德居然还一本正经地去查了资料，还告诉她目前没有看到这方面的公开报道，就说明他对这个信息感兴趣了。
至于后面理查德会问LVDT的事，算是在时珈一的意料之中。
她得想想怎么回。
而且她还是要了解一下对方是否有按照她误导的方向，有没有做相关的实验，或者说进展如何了。
同时，她还要看看自己在集成电路的方向上到底还缺了什么。
想到这里，时珈一没急着回信，而是拿出笔记本开始一条条的写集成电路的制作必备条件。
第一是圆晶制备，也就是拉9个9的单晶硅，目前知道工艺技术有直拉法和悬浮法，需要自己多做尝试。其中切割、抛光、化学腐蚀等方法已攻略。
理查德说硅的切割难，是因为他们没有用超声波，自己这方面是没有问题的。
第二是热氧化，也就是生长二氧化硅，这个方向理查德已经给了提醒。用石英管高温炉，通入高纯度氧气或水蒸气，具体温度在900-1200度之间，也需要多做尝试温度的准确性。
第三就是光刻，她自己是知道这上面需要涂覆液态光刻胶，并且将画有电路图的玻璃掩模板紧贴在上面，用紫外光进行曝光。曝光后的光刻胶发生性质改变，放入显影液中洗去未曝光部分，露出需要掺杂的二氧化硅窗口。
但这个过程很容易产生污染，并且光刻胶本身的分辨率有限，所以她要解决的是洁净室的问题。
时珈一打了个叉，她没有十个亿来解决这个问题。
第四步，扩散掺杂，将光刻好的硅片放入扩散炉，通入含有磷或硼的气体，在高温下让杂质原子穿过窗口渗入硅中，形成N型或P型区，这个步骤她很清楚
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