大可不必这么励志。”
“什么真理不真理的，我给你说了，我这是思想升华！”
“呵呵呵，谁信，满脑子里的歪门邪道，在今天突然就升华了？”
陈望：“咋地？还不允许我顿悟了？”
小才：“顿悟没顿悟不知道，但嘴又硬一度。”
陈望和小才说话间毕瑾已经去找武厂长和公安同志去协商上课的事了，而陈望则去了后面的实验室。
新厂房这边的实验室已经被严格管控起来，不仅立了闲人勿进的警示牌，还有专门的值岗亭，里面站着的都是荷枪实弹的士兵。
虽然比不上之前陈望去军区研究所那样森严戒备，但就种架势已经让工厂里的工人都望而却步不敢靠近一步了。
伍开德和晋成国他们在实验室旁边的空房子里弄了个小的办公室，此时看见陈望过来都激动不已。
“陈所长，你终于来了。”
早上伍开德在电话已经给陈望说过四机部那边希望他能再拉制一根用来制造NMOS集成电路的单晶硅棒出来，所以陈望直接问道：“什么时候要？”
本来有一堆话要问出口伍开德听到这句话脑子差点没反应过来，“啊？”
陈望见状又重复了一遍，“不是要拉制轻掺杂的P型单晶硅棒吗？要得急吗？”
“要要要，要得不怎么急，不是——”这是时间急不急的问题吗？这是难不难，行不行的问题啊！
但伍开德的话还没说完陈望又问道：“晶向是＜100＞吗？”
“是，嗯？我已经说过要求了吗？陈所长怎么知道这么详细？”
“NMOS电路是基于N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管构建的，要掺杂形成N沟道，那就只有P型底衬或P型外延层底衬。
但是P型外延层底衬的工艺更加复杂，所以我估计设计者还是得选P型底衬。”
伍开德听到这里都惊呆了，因为陈望不仅说得没错，而且连当初永光电子厂在设计时为什么选P型底衬没有选外延层底衬的原因都说对了！
设计这款集成电路时他也参与过研究，当时要不是实在没办法稳定、批量、控制成本的生产出高质量的外延片，他们肯定会选性能更高、功耗更低的外延片底衬。
陈望没有注意伍开德脸上的惊诧继续说道：“至于晶向嘛，那就更简单了，＜100＞晶向的硅晶在热生长二氧化硅时能产生最低的界面态密度。
而最低的界面密度能降低载流子的缺失，从而生长出质量最高、电学特性最稳
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